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梅雙
2025-11-03 20:40
芯片漲價潮來勢洶洶。
據(jù)最新消息，臺積電2026年將進一步提升先進制程（7nm以下）報價，先進制程漲幅預計將達3%至10%，這將是這家全球最大晶圓代工廠連續(xù)第四年上調(diào)價格。
種種跡象表明，全球芯片漲價潮正愈演愈烈。據(jù)供應鏈消息，三星電子已率先暫停10月DDR5DRAM合約報價，引發(fā)SK海力士和美光等其他存儲原廠跟進，恢復報價時間預計或?qū)⒀雍笾?1月中旬。
市場層面，今日（11月3日）SK海力士、三星電子股價持續(xù)拉升，截至韓國股市收盤，SK海力士暴漲近11%；三星電子大漲超3%，再度創(chuàng)出歷史新高。A股存儲芯片概念股亦集體走強，太極實業(yè)直線漲停，香農(nóng)芯創(chuàng)大漲超8%續(xù)創(chuàng)歷史新高，普冉股份大漲超14%，江波龍、商絡電子、兆易創(chuàng)新、北京君正等跟漲。
臺積電大消息
11月3日，據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》援引產(chǎn)業(yè)人士消息，受生產(chǎn)成本攀升及產(chǎn)能持續(xù)供不應求影響，臺積電已啟動與客戶的年度議價溝通，預計2026年先進制程漲幅將達3%至10%。
據(jù)消息人士透露，臺積電已通知客戶，自9月起，針對5納米以下先進制程啟動連續(xù)4年漲價計劃，漲幅將依個別客戶采購等級與合作情況而異。其中，最搶手的3納米制程報價預計至少上漲個位數(shù)百分比。
業(yè)界形容這是“AI時代以來首次長期漲價行動”。展望2026年，臺積電的先進芯片工藝將面臨巨大的產(chǎn)能瓶頸，這主要是因為高性能計算（HPC）客戶在公司訂單中所占比例越來越大。
分析認為，臺積電罕見啟動連續(xù)4年漲價，與聯(lián)發(fā)科此前提到的“將反映成本上調(diào)芯片售價”相呼應，預料將引爆下一波芯片漲價潮。
有機構(gòu)指出，隨著全球通貨膨脹盛行，加上臺積電海外建廠與生產(chǎn)成本提高，為了維持高毛利率，預估2026年起臺積電5nm制程以下價格將上漲約5%—10%。
根據(jù)研究機構(gòu)預測，雖然2026年個別先進制程漲幅不一，但整體漲幅將優(yōu)于今年。
芯片設計業(yè)者指出，臺積電此次調(diào)漲恐怕意味著將逐步縮減7納米以上成熟制程的產(chǎn)能，AI、服務器與HPC應用將成為主要受益領域。
業(yè)界人士指出，臺積電會綜合考量客戶采購規(guī)模、合作深度等因素來決定具體漲幅，確保在反映成本的同時維持客戶關系穩(wěn)定。
先進制程已成為臺積電主要成長驅(qū)動力。5nm與3nm家族制程占今年第二季營收達六成，第三季持續(xù)維持這一比例，其中3nm占23%，5nm占37%。
臺積電多次強調(diào)，公司與客戶密切合作規(guī)劃產(chǎn)能，并投資先進和特殊制程技術(shù)以支持客戶需求，同時在客戶信任下獲取適當報酬。目前先進制程因AI應用需求持續(xù)供不應求。
分析認為，隨著AI相關需求成長，將帶動臺積電營收獲利持續(xù)增長。外資此前已上修該公司AI應用營收的中長期預測，原先預計2028年AI應用將達到總收入的35%，目前可望提早在今年或明年達成。
TrendForce預測，晶圓廠受益于AI帶動電源管理芯片需求，已規(guī)劃2026年全面上調(diào)代工價格。盡管具體漲幅尚待協(xié)商，但市場漲價氛圍已經(jīng)形成。臺積電在先進制程領域的領先地位與產(chǎn)能緊缺態(tài)勢，為其持續(xù)調(diào)價提供了支撐。
芯片巨頭暫停報價
目前，全球芯片漲價潮愈演愈烈。據(jù)中國臺灣電子時報援引供應鏈消息稱，三星電子已率先暫停10月DDR5 DRAM合約報價，引發(fā)SK海力士和美光等其他存儲原廠跟進，恢復報價時間預計將延后至11月中旬。
報道指出，第四季度上游原廠僅對科技龍頭或一線云廠商提供報價，DDR5幾乎完全沒有釋放產(chǎn)能給其他一般客戶，存儲“已完全進入賣方市場”。 不僅如此，未來存儲三大原廠的供貨策略將愈發(fā)嚴格，僅向長期客戶提供報價；這也意味著，原廠不提供報價或?qū)⒊蔀槌B(tài)，迫使有緊急需求的客戶轉(zhuǎn)向現(xiàn)貨市場搶貨。
業(yè)內(nèi)人士透露，雖然存儲四季度合約價上漲已成為市場共識，但此前預期是10月底前就可以敲定四季度合約價。但三星遲遲不愿提供合約報價，直接告訴下游客戶“無貨可賣”，導致短短一周內(nèi)，DDR5現(xiàn)貨價格飆升25%。
目前四季度合約價格尚未敲定，但該報道稱，據(jù)推測，自今年第四季度至明年上半年，DDR5價格將“連續(xù)三級跳”暴漲，逐季朝向30%—50%的漲幅推進。以此推算，2026年上半年DDR5 16Gb報價或高達30美元。
業(yè)內(nèi)將本輪漲價視為“超級周期”的啟動，AI是核心驅(qū)動力，全球?qū)Ω邘拑?nèi)存HBM的需求急劇增加。例如，OpenAI名為“星際之門”的數(shù)據(jù)中心項目預計每月需要高達90萬片晶圓。
國泰君安證券指出，存儲行業(yè)已進入新一輪上行周期，隨著AI大模型訓練和推理對內(nèi)存容量的需求激增，HBM和DDR5內(nèi)存的緊缺將進一步傳導至整個存儲產(chǎn)業(yè)鏈。
集邦咨詢最新報告預估，第四季度，一般型DRAM價格將上漲18%至23%，若加計HBM，漲幅將擴大至23%至28%；預估NAND Flash各類產(chǎn)品合約價也將全面上漲，平均漲幅為5%至10%。
集邦咨詢分析師許家源表示，進入第四季度，隨著北美云服務商陸續(xù)釋放出積極的2026年DRAM需求展望，預計將帶動DRAM整體需求增長及價格上漲，動能延續(xù)至2026年。
TechInsights的10月統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，第三季度DRAM平均庫存降至8周，低于去年同期的10周與2023年初的31周，市場供應快速吃緊。
多名知名存儲分析師預測，DRAM和NAND Flash市場目前均出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，預計今年四季度及2026年行業(yè)價格將進一步上漲。
排版：汪云鵬
校對：楊立林
