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光刻膠概念27日盤中大幅拉升，截至發(fā)稿，晶瑞電材20%漲停，迦南科技、南大光電漲超13%，艾森股份漲逾12%，格林達(dá)、彤程新材亦漲停。

消息面上，我國(guó)首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)。國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委網(wǎng)站顯示，我國(guó)首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)——《極紫外（EUV）光刻膠測(cè)試方法》作為擬立項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，10月23日開(kāi)始公示，截止時(shí)間為11月22日。標(biāo)準(zhǔn)的起草單位包括上海大學(xué)、張江國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司。

此外，我國(guó)光刻膠領(lǐng)域取得新突破。近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開(kāi)發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。

銀河證券指出，該方案首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，當(dāng)前光刻技術(shù)是推動(dòng)集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅(qū)動(dòng)力之一。彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強(qiáng)大工具。深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為，可推動(dòng)先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。據(jù)銳觀產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告，2024年我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至114億元以上，預(yù)計(jì)2025年光刻膠市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)123億元。

該機(jī)構(gòu)認(rèn)為，光刻膠作為半導(dǎo)體、印制電路板、平板顯示等行業(yè)的基礎(chǔ)材料，其技術(shù)進(jìn)步可以促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，上游材料供應(yīng)商、設(shè)備制造商，中游光刻膠生產(chǎn)企業(yè)，以及下游光刻膠產(chǎn)品應(yīng)用企業(yè)都能從中受益。