拓荊科技的出現，拓出了一條令人矚目的國產化之路。

在高端半導體制造中，薄膜沉積設備、光刻設備、刻蝕設備共同構成了芯片制造三大核心設備。其中，薄膜沉積設備常年占據晶圓制造設備市場五分之一以上的市場份額，但該行業呈現壟斷競爭的局面，市場長期由國際巨頭把持。

拓荊科技的出現，在國際巨頭壟斷、荊棘密布的薄膜沉積設備市場上，拓出了一條令人矚目的國產化之路。拓荊科技董事長呂光泉表示，2024年中國大陸薄膜沉積設備市場推算約為97億美元，其中公司覆蓋的產品市場規模約48.5億美元，而公司對應產品收入41億元，市場份額占比約12%。

目前，拓荊科技主要從事PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）、ALD（原子層沉積）、Gap Fill（溝槽填充）等薄膜沉積設備的研發和產業化應用，可以支撐邏輯芯片、存儲芯片中所需的全部介質薄膜材料約100多種工藝應用。呂光泉認為，拓荊科技的市場份額依然有較大提升空間。

不可否認，在薄膜沉積設備領域，中外差距依然存在。呂光泉表示，在先進技術方面，國產廠商相較海外龍頭而言，起步雖然相對較晚，面臨國際設備廠商的競爭和挑戰，國產廠商通過自主創新不斷實現技術突破，展示出強勁的潛力。

從工藝覆蓋度、量產設備性能指標來看，中國企業正迎頭趕上。呂光泉表示：“從技術水平來看，近年來中國大陸半導體產業發展迅速，以公司為代表的廠商在薄膜沉積設備領域實現持續突破和快速發展，工藝覆蓋度不斷提高，已量產設備性能指標可達到國際同類設備先進水平。”

這背后，是以拓荊科技為代表的企業持續進行技術攻關，啃下一個個“硬骨頭”。拓荊科技先后承擔了11項國家重大專項或課題。截至2024年12月底，公司累計申請專利1640項（含PCT），獲得授權專利507項。通過自主研發，公司已形成一系列獨創性的設計，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項研發及產業化的核心技術。

面向未來，當“后摩爾時代”芯片制程持續縮小接近物理極限，更高的性能芯片就要通過新的芯片設計架構和芯片堆疊方式來實現，由此催生了三維集成領域的半導體設備新需求。三維集成領域的產品有望成為拓荊科技業績增長“新引擎”。目前，拓荊科技晶圓對晶圓混合鍵合設備等已經獲得重復訂單并擴大產業化應用，芯片對晶圓混合鍵合設備也實現出貨，同時，開發的配套檢測設備已實現了產業化應用。

“我們正提前布局往后兩代、三代產品的技術，現在公司70%的產品都是新工藝、先進工藝所需要的。”呂光泉表示。