證券時報
王軍
2025-11-19 22:03
11月19日，界面新聞從CFM閃存市場獲悉，閃存價格呈現全面上漲態勢，部分產品漲幅逼近40%。其中，1Tb QLC 漲25.00%至12.50美元，1Tb TLC漲23.81%至13美元，512Gb TLC漲幅最高，達38.46%，漲至9美元，256Gb TLC 漲14.58%至5.50美元。
今日閃存價格走勢 圖片來源：CFM閃存市場
在昨日舉行的小米業績電話會上，小米集團合伙人、總裁盧偉冰也談及存儲成本攀升問題。他指出，當前內存價格上漲是長周期行為，主要驅動力來自AI帶來的HBM需求激增，而非傳統的手機、筆記本行業周期波動。
面對這一行業趨勢，盧偉冰透露小米已提前布局，與合作伙伴簽訂了2026年全年供應協議，確保全年供應不受影響，并表示未來可能通過漲價和產品結構升級來緩解成本壓力。
閃存，作為一種非易失性存儲技術，在各類電子產品中廣泛應用，常見的如手機、電腦的存儲部件。與DRAM（動態隨機存取存儲器，常用于計算機內存，數據斷電后會丟失）不同，閃存即使在斷電后仍能保存數據。二者共同構成了當前主流半導體存儲器的主要部分，在全球存儲市場占據重要地位。
NAND閃存的核心是“存儲單元”（Cell），就像一個個可存放數據的“小盒子”。QLC和TLC的命名便源于每個“小盒子”能存放的“數據位數”。QLC每個存儲單元可存儲4位數據，主要用于大容量SSD（固態硬盤）、數據中心存儲設備等場景。而TLC每個存儲單元可存儲3位數據，是目前消費電子產品中最普及的閃存技術，常見于手機、筆記本電腦的SSD、U盤等。
圖片來源：CFM閃存市場
近期閃存價格大幅上漲，受到多方面因素影響。在供給端，三星、SK海力士、鎧俠、美光等存儲行業巨頭從今年下半年開始，集體削減NAND（閃存的一種技術類型）供應量。有行業產能調整清單顯示，今年三到四季度，三星的NAND晶圓投入量同比減少15%，SK海力士直接砍了20%，鎧俠和美光也分別削減了12%和18%。
與此同時，為搶占AI存儲風口，各大巨頭紛紛將傳統TLC NAND產線改造為更適合AI數據中心的QLC工藝產線，這導致常規NAND產能進一步被擠壓，加劇了市場供應緊張局面。
而在需求端，隨著AI技術的迅猛發展，AI數據中心對存儲需求呈爆發式增長。單臺AI服務器的NAND用量是傳統服務器的3倍，這使得大容量SSD需求激增。科技公司為保障自身業務發展，開啟“恐慌性囤貨”模式，紛紛砸錢搶訂NAND配額。不少供應商明年的NAND供貨配額已被搶訂一空，進一步推動了價格上漲。
“四大類別的存儲產品都出現了缺貨漲價，在我30多年職業生涯里前所未見，這種情況令人頭疼。”存儲模組廠商威剛科技董事長陳立白在10月底的一場活動上這樣表示。
TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，2026年全球市場仍面臨不確定性，特別是存儲器步入強勁上行周期，導致整機成本上揚，并將迫使終端定價上調，進而沖擊消費市場。
摩根士丹利在研報中預測，存儲行業將開啟一個持續數年的“超級周期”，全球存儲市場規模有望在2027年邁向3000億美元。
